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RZQ045P01
Transistors
80
100
4.5
60
Ta=25 ℃
Pulsed
10
V DS =-6V
Pulsed
4
3.5
Ta=25 ℃
V DD = -6V
I D = -4.5A
I D = -2.2A
3
R G =10 ?
40
I D = -4.5A
1
Ta= -25 ℃
Ta= 25 ℃
Ta= 75 ℃
2.5
2
Pulsed
Ta= 125 ℃
1.5
20
0
0.1
0.01
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate-Source Voltage
Ta=25°C
100000
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Ta=25°C
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
Ciss
f=1MHz
V GS =0V
10000
td(off)
V DD = -6V
V GS =-4.5V
R G =10 ?
1000
100
Crss
Coss
1000
100
10
1
tr
tf
Pulsed
td(on)
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.14 Switching Characteristics
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